STN1NF20 与 BSP149 H6327 区别
| 型号 | STN1NF20 | BSP149 H6327 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-STN1NF20 | A-BSP149 H6327 | ||||||||
| 制造商 | STMicroelectronics | Infineon Technologies | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 小信号MOSFET | ||||||||
| 描述 | 表面贴装型 N 通道 200 V 1A（Tc） 2W（Ta） SOT-223 | |||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 功率耗散Pd | - | 1.8W | ||||||||
| 宽度 | - | 3.5mm | ||||||||
| 上升时间 | - | 3.4ns | ||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 200V | ||||||||
| 产品特性 | - | 车规 | ||||||||
| Qg-栅极电荷 | - | 14nC | ||||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||||||
| 正向跨导 - 最小值 | - | 400mS | ||||||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 45ns | ||||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||||
| 封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA | SOT-223 | ||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 660mA | ||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C | ||||||||
| 通道数量 | - | 1Channel | ||||||||
| 配置 | - | Single | ||||||||
| 系列 | - | BSP149 | ||||||||
| 长度 | - | 6.5mm | ||||||||
| 下降时间 | - | 21ns | ||||||||
| 典型接通延迟时间 | - | 5.1ns | ||||||||
| 导通电阻Rds(On) | - | 1.8Ω@660mA,10V | ||||||||
| 高度 | - | 1.6mm | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 3,868 | 0 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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STN1NF20 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-261-4,TO-261AA |
￥3.42
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3,868 | 当前型号 | ||||||||||
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BSP149 H6327 | Infineon | 数据手册 | 小信号MOSFET |
200V 660mA 1.8Ω@660mA,10V ±20V 1.8W N-Channel -55°C~150°C SOT-223 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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BSP297 H6327 | Infineon | 数据手册 | 小信号MOSFET |
200V 660mA 1Ω 20V 1.8W N-Channel -55°C~150°C 车规 PG-SOT223-4 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
|
SIHFL210-GE3 | Vishay | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 |
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